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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVT6M1T2CR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
VT6M1T2CR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VT6M1T2CR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
VT6M1T2CR.pdf
État RoHS
En stock: 492100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VT6M1T2CR
Rohm Semiconductor - VT6M1T2CR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - VT6M1T2CR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur VMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Puissance - Max 120mW  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate, 1.2V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base VT6M1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor VT6M1T2CR

Attributs du produit VT6M1T2CR VT6K1T2CR VT6526 CF VT6526B
Modèle de produit VT6M1T2CR VT6K1T2CR VT6526 CF VT6526B
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor VIA VIA
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V 7.1pF @ 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V - -
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) - -
Fonction FET Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate, 1.2V Drive - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Numéro de produit de base VT6M1 VT6K1 - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA 100mA - -
Package composant fournisseur VMT6 VMT6 - -
Séries - - - -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V - -
Puissance - Max 120mW 120mW - -

Fiche technique VT6M1T2CR PDF

Téléchargez VT6M1T2CR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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