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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleUS5U35TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

US5U35TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
US5U35TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-US5U35TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Description détaillée
Emballage
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Fiche technique
US5U35TR.pdf
État RoHS
En stock: 117440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques US5U35TR
Rohm Semiconductor - US5U35TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - US5U35TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT5  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 700mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 45 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 700mA (Ta)  
Numéro de produit de base US5U35  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor US5U35TR

Attributs du produit US5U35TR US5U2TR US5U38TR US5U29TR
Modèle de produit US5U35TR US5U2TR US5U38TR US5U29TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TUMT5 TUMT5 - TUMT5
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Séries - - * -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V 70 pF @ 10 V - 150 pF @ 10 V
Numéro de produit de base US5U35 US5U2 US5U38 US5U29
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V - 2.5V, 4.5V
type de FET P-Channel N-Channel - P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 700mA, 10V 240mOhm @ 1.4A, 10V - 390mOhm @ 1A, 4.5V
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead - 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 5 V 2 nC @ 5 V - 2.1 nC @ 5 V
Tension drain-source (Vdss) 45 V 30 V - 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 700mA (Ta) 1.4A (Ta) - 1A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) - 1W (Ta)

Fiche technique US5U35TR PDF

Téléchargez US5U35TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour US5U35TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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