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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxUMN11NTN
UMN11NTN Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UMN11NTN - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
UMN11NTN
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-UMN11NTN
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
UMN11NTN.pdf
État RoHS
En stock: 290840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UMN11NTN
Rohm Semiconductor - UMN11NTN Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - UMN11NTN

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 100 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur UMD6  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Configuration diode 2 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 70 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA  
Numéro de produit de base UMN11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor UMN11NTN

Attributs du produit UMN11NTN UMN10NTR MBR3035CT FMXA-2202S
Modèle de produit UMN11NTN UMN10NTR MBR3035CT FMXA-2202S
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation Sanken Electric USA Inc.
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 80 V 35 V 200 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns 4 ns - 25 ns
Configuration diode 2 Pair Common Cathode 3 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Séries - - - -
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 70 V 100 nA @ 70 V 200 µA @ 35 V 100 µA @ 200 V
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) 150°C (Max) -55°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA 100mA 30A (DC) 20A
Package composant fournisseur UMD6 UMD6 TO-220AB TO-220F
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 100 mA 1.2 V @ 100 mA 820 mV @ 30 A 1.2 V @ 10 A
La technologie Standard Standard - Standard
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Bulk
Numéro de produit de base UMN11 UMN10 - -

Fiche technique UMN11NTN PDF

Téléchargez UMN11NTN PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour UMN11NTN - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Diode Flammability.pdf SW-SMD Reliability Test.pdf UMD6 Part Marking.pdf
Informations environnementales
Diode Whisker Info.pdf Diode Level 1 MSL.pdf UMD6 Constitution Material List.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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