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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxUM6K1NTN
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

UM6K1NTN - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
UM6K1NTN
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-UM6K1NTN
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
UM6K1NTN.pdf
État RoHS
En stock: 312960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques UM6K1NTN
Rohm Semiconductor - UM6K1NTN Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - UM6K1NTN

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base UM6K1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor UM6K1NTN

Attributs du produit UM6K1NTN UM6K31NFHATCN UM6K1NTR UM6K31
Modèle de produit UM6K1NTN UM6K31NFHATCN UM6K1NTR UM6K31
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V 15pF @ 25V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Numéro de produit de base UM6K1 UM6K31 - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V 2.4Ohm @ 250mA, 10V - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Puissance - Max 150mW 150mW - -
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA 250mA (Ta) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 2.3V @ 1mA - -
Package composant fournisseur UMT6 UMT6 - -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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