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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSP8M24FRATB
SP8M24FRATB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SP8M24FRATB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SP8M24FRATB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SP8M24FRATB
Modèle ECAD
Description des pièces
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SP8M24FRATB.pdf
État RoHS
En stock: 33550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SP8M24FRATB
Rohm Semiconductor - SP8M24FRATB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SP8M24FRATB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 45V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SP8M24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SP8M24FRATB

Attributs du produit SP8M24FRATB SP8M24FU7TB1 SP8M2FU6TB SP8M2FD5TB
Modèle de produit SP8M24FRATB SP8M24FU7TB1 SP8M2FU6TB SP8M2FD5TB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V - 140pF @ 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta), 3.5A (Ta) - 3.5A -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V - 3.5nC @ 5V -
Numéro de produit de base SP8M24 SP8M24 SP8M2 -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Configuration N and P-Channel - N and P-Channel -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V - 83mOhm @ 3.5A, 10V -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Tension drain-source (Vdss) 45V - 30V -
Package composant fournisseur 8-SOP - 8-SOP -
Puissance - Max 2W - 2W -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA -
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -

Fiche technique SP8M24FRATB PDF

Téléchargez SP8M24FRATB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SP8M24FRATB - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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