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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSP8K32TB1
SP8K32TB1 Image
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SP8K32TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SP8K32TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SP8K32TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SP8K32TB1.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 3880

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SP8K32TB1
Rohm Semiconductor - SP8K32TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SP8K32TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V  
Puissance - Max 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 4V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SP8K32  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SP8K32TB1

Attributs du produit SP8K32TB1 SP8K3FD5TB1 SP8K32FRATB SP8K31FRATB
Modèle de produit SP8K32TB1 SP8K3FD5TB1 SP8K32FRATB SP8K31FRATB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta) - 4.5A (Ta) 3.5A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 60V - 60V 60V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 10V - 500pF @ 10V 250pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V - 10nC @ 5V 5.2nC @ 5V
Fonction FET Logic Level Gate, 4V Drive - - -
Température de fonctionnement 150°C - 150°C (TJ) 150°C
Numéro de produit de base SP8K32 SP8K3 SP8K32 SP8K31
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Package composant fournisseur 8-SOP - 8-SOP 8-SOP
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V - 65mOhm @ 4.5A, 10V 120mOhm @ 3.5A, 10V
Puissance - Max 2W (Ta) - 2W 2W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SP8K32TB1 PDF

Téléchargez SP8K32TB1 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SP8K32TB1 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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