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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSH8M2TB1
SH8M2TB1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SH8M2TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SH8M2TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SH8M2TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SH8M2.pdf
État RoHS
En stock: 85070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SH8M2TB1
Rohm Semiconductor - SH8M2TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SH8M2TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SH8M2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SH8M2TB1

Attributs du produit SH8M2TB1 SH8M3TB1 SH8M14TB1 SH8M12TB1
Modèle de produit SH8M2TB1 SH8M3TB1 SH8M14TB1 SH8M12TB1
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Numéro de produit de base SH8M2 SH8M3 SH8M14 SH8M12
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A 5A, 4.5A 9A, 7A 5A, 4.5A
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V 230pF @ 10V 630pF @ 10V 250pF @ 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V 3.9nC @ 5V 8.5nC @ 5V 4nC @ 5V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V 21mOhm @ 9A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique SH8M2TB1 PDF

Téléchargez SH8M2TB1 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SH8M2TB1 - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
SH8M2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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