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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSCS210AGC
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCS210AGC - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SCS210AGC
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SCS210AGC
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
SiC Power Devices Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCS210AGC
Rohm Semiconductor - SCS210AGC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SCS210AGC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AC  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A  
Capacité à Vr, F 365pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base SCS210  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SCS210AGC

Attributs du produit SCS210AGC SCS208AJTLL SCS208AMC SCS206AMC
Modèle de produit SCS210AGC SCS208AJTLL SCS208AMC SCS206AMC
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 10 A 1.55 V @ 8 A 1.55 V @ 8 A 1.55 V @ 6 A
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A 8A 8A 6A
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Package / Boîte TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack
Séries - - - -
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 600 V 160 µA @ 600 V 160 µA @ 600 V 120 µA @ 600 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Numéro de produit de base SCS210 SCS208 SCS208 SCS206
Capacité à Vr, F 365pF @ 1V, 1MHz 291pF @ 1V, 1MHz 291pF @ 1V, 1MHz 219pF @ 1V, 1MHz
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Package composant fournisseur TO-220AC TO-263AB TO-220FM TO-220FM
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)

Fiche technique SCS210AGC PDF

Téléchargez SCS210AGC PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SCS210AGC - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SCS2yy Site Chgs 7/Jan/2021.pdf
Fiche technique HTML
SiC Power Devices Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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