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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRXH100N03TB1
RXH100N03TB1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RXH100N03TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RXH100N03TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RXH100N03TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RXH100N03TB1.pdf
État RoHS
En stock: 59350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RXH100N03TB1
Rohm Semiconductor - RXH100N03TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RXH100N03TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base RXH100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RXH100N03TB1

Attributs du produit RXH100N03TB1 RXH070N03TB1 FDN86246 IRF9Z34NL
Modèle de produit RXH100N03TB1 RXH070N03TB1 FDN86246 IRF9Z34NL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - PowerTrench® HEXFET®
Numéro de produit de base RXH100 RXH070 FDN862 -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 5.8 nC @ 5 V 5 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V 225 pF @ 75 V 620 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 7A (Ta) 1.6A (Ta) 19A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 1.4W (Ta) 1.5W (Ta) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 150 V 55 V
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP SOT-23-3 TO-262
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 6V, 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 261mOhm @ 1.6A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RXH100N03TB1

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32D-RXH100N03TB1

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