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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRV1C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RV1C002UNT2CL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RV1C002UNT2CL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Description détaillée
Emballage
3-SMD, No Lead
Fiche technique
RV1C002UNT2CL.pdf
État RoHS
En stock: 436900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RV1C002UNT2CL
Rohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RV1C002UNT2CL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur VML0806  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 100mW (Ta)  
Package / Boîte 3-SMD, No Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta)  
Numéro de produit de base RV1C002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CL

Attributs du produit RV1C002UNT2CL G1003B RV1C001ZPT2L SIHP8N50D-GE3
Modèle de produit RV1C002UNT2CL G1003B RV1C001ZPT2L SIHP8N50D-GE3
Fabricant Rohm Semiconductor Goford Semiconductor Rohm Semiconductor Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V ±20V ±10V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V 20 V 500 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V 760 pF @ 50 V 15 pF @ 10 V 527 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V - 1.2V, 4.5V 10V
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V 130mOhm @ 1A, 10V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 2V @ 250µA 1V @ 100µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur VML0806 SOT-23-3L VML0806 TO-220AB
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 3-SMD, No Lead TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-SMD, No Lead TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Numéro de produit de base RV1C002 - RV1C001 SIHP8
Dissipation de puissance (max) 100mW (Ta) 3.3W 100mW (Ta) 156W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150mA (Ta) 3A 100mA (Ta) 8.7A (Tc)

Fiche technique RV1C002UNT2CL PDF

Téléchargez RV1C002UNT2CL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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