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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRU1L002SNMGTL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RU1L002SNMGTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RU1L002SNMGTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RU1L002SNMGTL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 2.5V DRIVE UMT3F
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
RU1L002SNMGTL.pdf
En stock: 4950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RU1L002SNMGTL
Rohm Semiconductor - RU1L002SNMGTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RU1L002SNMGTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RU1L002SNMGTL

Attributs du produit RU1L002SNMGTL RU1J002YNTCL RU1L002SNTL RU1L002SN TL
Modèle de produit RU1L002SNMGTL RU1J002YNTCL RU1L002SNTL RU1L002SN TL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Dissipation de puissance (max) - 150mW (Ta) 200mW (Ta) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 26 pF @ 10 V 15 pF @ 25 V -
Type de montage - Surface Mount Surface Mount -
Package / Boîte - SC-85 SC-85 -
Vgs (Max) - ±8V ±20V -
Vgs (th) (Max) @ Id - 800mV @ 1mA 2.3V @ 1mA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 200mA (Ta) 250mA (Ta) -
Tension drain-source (Vdss) - 50 V 60 V -
Température de fonctionnement - 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V -
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 0.9V, 4.5V 2.5V, 10V -
type de FET - N-Channel N-Channel -
Package composant fournisseur - UMT3F UMT3F -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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