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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRTR025P02HZGTL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RTR025P02HZGTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RTR025P02HZGTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RTR025P02HZGTL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Description détaillée
Emballage
SC-96
Fiche technique
RTR025P02HZGTL.pdf
État RoHS
En stock: 96190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RTR025P02HZGTL
Rohm Semiconductor - RTR025P02HZGTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RTR025P02HZGTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte SC-96  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RTR025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RTR025P02HZGTL

Attributs du produit RTR025P02HZGTL RTR025N05TL RTR025N03TL RTR025P02TL
Modèle de produit RTR025P02HZGTL RTR025N05TL RTR025N03TL RTR025P02TL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±12V 12V ±12V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte SC-96 SC-96 SC-96 SC-96
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 250 pF @ 10 V 220 pF @ 10 V 630 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 4.5V 130mOhm @ 2.5A, 4.5V 92mOhm @ 2.5A, 4.5V 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base RTR025 RTR025 RTR025 RTR025
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 2.5A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 45 V 30 V 20 V
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur TSMT3 TSMT3 TSMT3 TSMT3
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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