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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSS090P03FU7TB
RSS090P03FU7TB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSS090P03FU7TB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSS090P03FU7TB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSS090P03FU7TB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RSS090P03FU7TB.pdf
État RoHS
En stock: 3730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor - RSS090P03FU7TB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSS090P03FU7TB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base RSS090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSS090P03FU7TB

Attributs du produit RSS090P03FU7TB RSS090N03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB
Modèle de produit RSS090P03FU7TB RSS090N03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 1830 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base RSS090 RSS090 RSS095 RSS090
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 26.5 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 9A (Ta) 9.5A (Ta) 9A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V 15mOhm @ 9A, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 45 V 30 V

Fiche technique RSS090P03FU7TB PDF

Téléchargez RSS090P03FU7TB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSS090P03FU7TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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