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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSS040P03FU6TB
RSS040P03FU6TB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSS040P03FU6TB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSS040P03FU6TB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSS040P03FU6TB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RSS040P03.pdf
État RoHS
En stock: 3960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor - RSS040P03FU6TB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSS040P03FU6TB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base RSS040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSS040P03FU6TB

Attributs du produit RSS040P03FU6TB RSS060P05FU6TB RSS050P03TB RSS050P03FU6TB
Modèle de produit RSS040P03FU6TB RSS060P05FU6TB RSS050P03TB RSS050P03FU6TB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 6A (Ta) 5A (Ta) 5A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4A, 10V 36mOhm @ 6A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 32.2 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 10 V 2700 pF @ 10 V 1200 pF @ 10 V 1200 pF @ 10 V
Numéro de produit de base RSS040 RSS060 RSS050 RSS050
Tension drain-source (Vdss) 30 V 45 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique RSS040P03FU6TB PDF

Téléchargez RSS040P03FU6TB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSS040P03FU6TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
Feuilles de données
RSS040P03.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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