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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSM002N06T2L
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSM002N06T2L - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSM002N06T2L
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSM002N06T2L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Description détaillée
Emballage
SOT-723
Fiche technique
RSM002N06T2L.pdf
État RoHS
En stock: 405500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSM002N06T2L
Rohm Semiconductor - RSM002N06T2L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSM002N06T2L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur VMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-723  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)  
Numéro de produit de base RSM002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSM002N06T2L

Attributs du produit RSM002N06T2L RSM002P03T2L RSM2302A RSM1843
Modèle de produit RSM002N06T2L RSM002P03T2L RSM2302A RSM1843
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor RACE
Numéro de produit de base RSM002 RSM002 - -
type de FET N-Channel P-Channel - -
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 1.4Ohm @ 200mA, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V 30 pF @ 10 V - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V 4V, 10V - -
Package / Boîte SOT-723 SOT-723 - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Package composant fournisseur VMT3 VMT3 - -

Fiche technique RSM002N06T2L PDF

Téléchargez RSM002N06T2L PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSM002N06T2L - Rohm Semiconductor.

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Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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