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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSH070P05TB1
RSH070P05TB1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSH070P05TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSH070P05TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSH070P05TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RSH070P05TB1.pdf
État RoHS
En stock: 49050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSH070P05TB1
Rohm Semiconductor - RSH070P05TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSH070P05TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47.6 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 45 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  
Numéro de produit de base RSH070  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSH070P05TB1

Attributs du produit RSH070P05TB1 RSH090N03TB1 RSH070P05GZETB RSH065N03TB1
Modèle de produit RSH070P05TB1 RSH090N03TB1 RSH070P05GZETB RSH065N03TB1
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 10V 16mOhm @ 9A, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 27mOhm @ 6.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47.6 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 47.6 nC @ 5 V 8.6 nC @ 5 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V 20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 9A (Ta) 7A (Ta) 6.5A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 45 V 30 V 45 V 30 V
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 4100 pF @ 10 V 430 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Numéro de produit de base RSH070 RSH090 RSH070 RSH065

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RSH070P05TB1

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32D-RSH070P05TB1

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