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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSD201N10TL
RSD201N10TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSD201N10TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSD201N10TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSD201N10TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RSD201N10TL.pdf
État RoHS
En stock: 5330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSD201N10TL
Rohm Semiconductor - RSD201N10TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSD201N10TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base RSD201  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSD201N10TL

Attributs du produit RSD201N10TL RSD200N05TL RSD150N06TL RSD221N06TL
Modèle de produit RSD201N10TL RSD200N05TL RSD150N06TL RSD221N06TL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 100 V 45 V 60 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 20A (Ta) 15A (Ta) 22A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta), 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V 950 pF @ 10 V 930 pF @ 10 V 1500 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 26mOhm @ 22A, 10V
Numéro de produit de base RSD201 RSD200 RSD150 RSD221
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 18 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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