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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSD140P06TL
RSD140P06TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSD140P06TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSD140P06TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSD140P06TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RSD140P06TL.pdf
État RoHS
En stock: 4100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSD140P06TL
Rohm Semiconductor - RSD140P06TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSD140P06TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)  
Numéro de produit de base RSD140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSD140P06TL

Attributs du produit RSD140P06TL RSD150N06TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Modèle de produit RSD140P06TL RSD150N06TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 45 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 930 pF @ 10 V 950 pF @ 10 V 2400 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta) 15A (Ta) 20A (Ta) 13A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Numéro de produit de base RSD140 RSD150 RSD200 RSD131
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 200mOhm @ 6.5A, 10V
Séries - - - -
Package composant fournisseur CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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