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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRS1G180MNTB
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RS1G180MNTB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RS1G180MNTB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RS1G180MNTB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
RS1G180MNTB.pdf
État RoHS
En stock: 59580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RS1G180MNTB
Rohm Semiconductor - RS1G180MNTB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RS1G180MNTB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 30W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1293 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)  
Numéro de produit de base RS1G  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RS1G180MNTB

Attributs du produit RS1G180MNTB RS1G300GNTB RS1E350BNTB RS1G150MNTB
Modèle de produit RS1G180MNTB RS1G300GNTB RS1E350BNTB RS1G150MNTB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 18A, 10V 2.5mOhm @ 30A, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 10.6mOhm @ 15A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc) 30A (Ta) 35A (Ta) 15A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base RS1G RS1G RS1E RS1G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1293 pF @ 20 V 4230 pF @ 20 V 7900 pF @ 15 V 930 pF @ 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 30W (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 35W (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V 56.8 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V

Fiche technique RS1G180MNTB PDF

Téléchargez RS1G180MNTB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RS1G180MNTB - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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