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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RS1E280GNTB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RS1E280GNTB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RS1E280GNTB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
RS1E280GNTB.pdf
État RoHS
En stock: 104670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RS1E280GNTB
Rohm Semiconductor - RS1E280GNTB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RS1E280GNTB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 31W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta)  
Numéro de produit de base RS1E  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RS1E280GNTB

Attributs du produit RS1E280GNTB RS1E321GNTB1 RS1E320GNTB RS1E200GNTB
Modèle de produit RS1E280GNTB RS1E321GNTB1 RS1E320GNTB RS1E200GNTB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta) 32A (Ta), 80A (Tc) 32A (Ta) 20A (Ta)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 31W (Tc) 3W (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) 3W (Ta), 25.1W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 42.8 nC @ 10 V 42.8 nC @ 10 V 16.8 nC @ 10 V
Numéro de produit de base RS1E RS1E RS1E RS1E
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 28A, 10V 2.1mOhm @ 32A, 10V 1.9mOhm @ 32A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V
Package composant fournisseur 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP 8-HSOP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 15 V 2850 pF @ 15 V 2850 pF @ 15 V 1080 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Fiche technique RS1E280GNTB PDF

Téléchargez RS1E280GNTB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RS1E280GNTB - Rohm Semiconductor.

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Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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