Spécifications
Spécifications techniques RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor - RS1E150GNTB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RS1E150GNTB
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
LAPIS Technology |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
8-HSOP |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
8.8mOhm @ 15A, 10V |
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| Dissipation de puissance (max) |
3W (Ta), 22.9W (Tc) |
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| Package / Boîte |
8-PowerTDFN |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
590 pF @ 15 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
10 nC @ 10 V |
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| type de FET |
N-Channel |
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| Fonction FET |
- |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
4.5V, 10V |
|
| Tension drain-source (Vdss) |
30 V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
15A (Ta) |
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| Numéro de produit de base |
RS1E |
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Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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RS1DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
RS1D/11TElectro-Films (EFI) / Vishay
RS1DHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC