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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRRH050P03TB1
RRH050P03TB1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RRH050P03TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RRH050P03TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RRH050P03TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RRH050P03TB1.pdf
État RoHS
En stock: 45340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RRH050P03TB1
Rohm Semiconductor - RRH050P03TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RRH050P03TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 650mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)  
Numéro de produit de base RRH050  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RRH050P03TB1

Attributs du produit RRH050P03TB1 RRH100P03TB1 RRH090P03TB1 RRH040P03TB1
Modèle de produit RRH050P03TB1 RRH100P03TB1 RRH090P03TB1 RRH040P03TB1
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base RRH050 RRH100 RRH090 RRH040
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta) 10A (Ta) 9A (Ta) 4A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V 30 nC @ 5 V 5.2 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V 12.6mOhm @ 10A, 10V 15.4mOhm @ 9A, 10V 75mOhm @ 4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 650mW (Ta) 650mW (Ta) 650mW (Ta) 650mW (Ta)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 3600 pF @ 10 V 3000 pF @ 10 V 480 pF @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Mode de transport

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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