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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleRRE02VSM4STR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RRE02VSM4STR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RRE02VSM4STR
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Description détaillée
Emballage
2-SMD, Flat Lead
Fiche technique
RRE02VSM4STR.pdf
État RoHS
En stock: 307400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RRE02VSM4STR
Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 200 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur TUMD2SM  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte 2-SMD, Flat Lead  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 400 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base RRE02  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR

Attributs du produit RRE02VSM4STR BAV21W-G3-08 1N3889 NTE5896
Modèle de produit RRE02VSM4STR BAV21W-G3-08 1N3889 NTE5896
Fabricant Rohm Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor NTE Electronics, Inc
La technologie Standard Standard Standard Standard
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tension - inverse (Vr) (max) 400 V 200 V 50 V 200 V
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) 175°C (Max) -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
Courant - fuite, inverse à Vr 1 µA @ 400 V 100 nA @ 150 V 25 µA @ 50 V 12 mA @ 200 V
Capacité à Vr, F - 1.5pF @ 0V, 1MHz - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bag
Courant - Rectifié moyenne (Io) 200mA 250mA 12A 16A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Chassis, Stud Mount Stud Mount
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA 1.4 V @ 12 A 1.23 V @ 50 A
Numéro de produit de base RRE02 BAV21 1N3889 -
Package / Boîte 2-SMD, Flat Lead SOD-123 DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Séries - - - -
Package composant fournisseur TUMD2SM SOD-123 DO-4 DO-4

Fiche technique RRE02VSM4STR PDF

Téléchargez RRE02VSM4STR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Diode Flammability.pdf
Informations environnementales
Diode Whisker Info.pdf Diode Level 1 MSL.pdf RRE02VSM4STR ESD Data.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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