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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RQ3E130MNTB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RQ3E130MNTB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RQ3E130MNTB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
RQ3E130MNTB1.pdf
État RoHS
En stock: 93210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor - RQ3E130MNTB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RQ3E130MNTB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSMT (3.2x3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  
Numéro de produit de base RQ3E130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1

Attributs du produit RQ3E130MNTB1 RQ3E150BNTB RQ3E120GNTB RQ3E160ADTB
Modèle de produit RQ3E130MNTB1 RQ3E150BNTB RQ3E120GNTB RQ3E160ADTB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 15 V 3000 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V 2550 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) 2W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 15A (Ta) 12A (Ta) 16A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 13A, 10V 5.3mOhm @ 15A, 10V 8.8mOhm @ 12A, 10V 4.5mOhm @ 16A, 10V
Numéro de produit de base RQ3E130 RQ3E150 RQ3E120 RQ3E160
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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