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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRP1E090RPTR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RP1E090RPTR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RP1E090RPTR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RP1E090RPTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RP1E090RPTR.pdf
État RoHS
En stock: 4270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RP1E090RPTR
Rohm Semiconductor - RP1E090RPTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RP1E090RPTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MPT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base RP1E090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RP1E090RPTR

Attributs du produit RP1E090RPTR RP1E100RNFPFTR RP1E050RP/TR RP1800AGQW
Modèle de produit RP1E090RPTR RP1E100RNFPFTR RP1E050RP/TR RP1800AGQW
Fabricant Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology RICHPOWER
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads - - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) - - -
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 9A, 10V - - -
Numéro de produit de base RP1E090 - - -
Package composant fournisseur MPT6 - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V - - -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 10 V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
type de FET P-Channel - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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