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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRMW280N03TB
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RMW280N03TB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RMW280N03TB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RMW280N03TB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
RMW280N03.pdf
État RoHS
En stock: 5420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RMW280N03TB
Rohm Semiconductor - RMW280N03TB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RMW280N03TB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta)  
Numéro de produit de base RMW280  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RMW280N03TB

Attributs du produit RMW280N03TB RMW130N03FUBTB RMW200N03FUBB1 RMW200N03FUB
Modèle de produit RMW280N03TB RMW130N03FUBTB RMW200N03FUBB1 RMW200N03FUB
Fabricant Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology LAPIS Technology
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V - - -
Numéro de produit de base RMW280 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 28A, 10V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-PSOP - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead - - -
type de FET N-Channel - - -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) - - -

Fiche technique RMW280N03TB PDF

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Feuilles de données
RMW280N03.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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