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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRK7002BMHZGT116
RK7002BMHZGT116 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RK7002BMHZGT116 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RK7002BMHZGT116
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RK7002BMHZGT116
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 613050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RK7002BMHZGT116
Rohm Semiconductor - RK7002BMHZGT116 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RK7002BMHZGT116

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SST3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)  
Numéro de produit de base RK7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RK7002BMHZGT116

Attributs du produit RK7002BMHZGT116 RK7002BT116 RK7002BMT116 RK7002AT116
Modèle de produit RK7002BMHZGT116 RK7002BT116 RK7002BMT116 RK7002AT116
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V 2.5V, 10V 2.5V, 10V 4V, 10V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 2.3V @ 1mA 2.3V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta) 250mA (Ta) 250mA (Ta) 300mA (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base RK7002 RK7002 RK7002 RK7002
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V 15 pF @ 25 V 15 pF @ 25 V 33 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.4Ohm @ 250mA, 10V 2.4Ohm @ 250mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Package composant fournisseur SST3 SST3 SST3 SST3
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique RK7002BMHZGT116 PDF

Téléchargez RK7002BMHZGT116 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RK7002BMHZGT116 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf SST3 Part Marking.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Feuilles de données
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RK7002BMHZGT116

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