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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRF6E045AJTCR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RF6E045AJTCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RF6E045AJTCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RF6E045AJTCR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RF6E045AJTCR.pdf
État RoHS
En stock: 172590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RF6E045AJTCR
Rohm Semiconductor - RF6E045AJTCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RF6E045AJTCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.7mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RF6E045  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RF6E045AJTCR

Attributs du produit RF6E045AJTCR RF6560TR7X RF6561ATR7 RF6590
Modèle de produit RF6E045AJTCR RF6560TR7X RF6561ATR7 RF6590
Fabricant Rohm Semiconductor RFMD RFMD RFMD
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 15 V - - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.7mOhm @ 4.5A, 4.5V - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
type de FET N-Channel - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta) - - -
Package composant fournisseur TUMT6 - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc) - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Numéro de produit de base RF6E045 - - -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V - - -

Fiche technique RF6E045AJTCR PDF

Téléchargez RF6E045AJTCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RF6E045AJTCR - Rohm Semiconductor.

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Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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