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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxRF2001NS2DFHTL
RF2001NS2DFHTL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RF2001NS2DFHTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RF2001NS2DFHTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RF2001NS2DFHTL
Modèle ECAD
Description des pièces
SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
RF2001NS2DFHTL.pdf
État RoHS
En stock: 22590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RF2001NS2DFHTL
Rohm Semiconductor - RF2001NS2DFHTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RF2001NS2DFHTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 930 mV @ 10 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur LPDS  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 20A  
Numéro de produit de base RF2001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RF2001NS2DFHTL

Attributs du produit RF2001NS2DFHTL RF2001T2D RF2001NS3DTL RF2001T3D
Modèle de produit RF2001NS2DFHTL RF2001T2D RF2001NS3DTL RF2001T3D
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 200 V 10 µA @ 200 V - 10 µA @ 300 V
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 930 mV @ 10 A 930 mV @ 10 A - 1.3 V @ 10 A
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns 30 ns - 25 ns
Numéro de produit de base RF2001 RF2001 RF2001 RF2001
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 20A 10A 20A 10A
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur LPDS TO-220FN LPDS TO-220FN
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) 150°C (Max) 150°C (Max) 150°C (Max)
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 200 V 300 V 300 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole

Fiche technique RF2001NS2DFHTL PDF

Téléchargez RF2001NS2DFHTL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RF2001NS2DFHTL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Diode Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Informations environnementales
Diode Whisker Info.pdf Diode Level 1 MSL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RF2001NS2DFHTL

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