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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRE1C002ZPMGTL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RE1C002ZPMGTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RE1C002ZPMGTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RE1C002ZPMGTL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Description détaillée
Emballage
SC-89, SOT-490
Fiche technique
RE1C002ZPMGTL.pdf
En stock: 5330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RE1C002ZPMGTL
Rohm Semiconductor - RE1C002ZPMGTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RE1C002ZPMGTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Ta)  
Package / Boîte SC-89, SOT-490  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RE1C002ZPMGTL

Attributs du produit RE1C002ZPMGTL RE1E002SPTCL RE1C001ZPTL RE1L002SNTL
Modèle de produit RE1C002ZPMGTL RE1E002SPTCL RE1C001ZPTL RE1L002SNTL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 150W (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 4V, 10V 1.2V, 4.5V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 15 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 250mA (Ta) 100mA (Ta) 250mA (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 60 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Package / Boîte SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 2.5V @ 1mA 1V @ 100µA 2.3V @ 1mA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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