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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRCD040N25TL
RCD040N25TL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RCD040N25TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RCD040N25TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RCD040N25TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RCD040N25.pdf
État RoHS
En stock: 4920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RCD040N25TL
Rohm Semiconductor - RCD040N25TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RCD040N25TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base RCD040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RCD040N25TL

Attributs du produit RCD040N25TL RCD075N20TL RCD050N20TL RCD051N20TL
Modèle de produit RCD040N25TL RCD075N20TL RCD050N20TL RCD051N20TL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 200 V 200 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 325mOhm @ 3.75A, 10V 618mOhm @ 2.5A, 10V 760mOhm @ 2.5A, 10V
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Numéro de produit de base RCD040 RCD075 RCD050 RCD051
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 7.5A (Tc) 5A (Ta) 5A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id - 5.25V @ 1mA 5.25V @ 1mA 5.25V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -

Fiche technique RCD040N25TL PDF

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Feuilles de données
RCD040N25.pdf
PCN Obsolescence / EOL
RCD040N25 Series OBS 7/Jul/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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