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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleR6010ANX
R6010ANX Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R6010ANX - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
R6010ANX
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-R6010ANX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
R6010ANX.pdf
État RoHS
En stock: 18772

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R6010ANX
Rohm Semiconductor - R6010ANX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - R6010ANX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FM  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base R6010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor R6010ANX

Attributs du produit R6010ANX R6011430XXYA R6011220XXYA R6010620XXYA
Modèle de produit R6010ANX R6011430XXYA R6011220XXYA R6010620XXYA
Fabricant Rohm Semiconductor Powerex Inc. Powerex, Inc. Powerex, Inc.
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) - - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Séries - - - -
Type de montage Through Hole Chassis, Stud Mount - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack DO-205AB, DO-9, Stud - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) - - -
Numéro de produit de base R6010 R6011430 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Standard, Reverse Polarity - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Emballer Bulk Bulk - -
Package composant fournisseur TO-220FM DO-205AB (DO-9) - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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R6010ANX

Rohm Semiconductor
32D-R6010ANX

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