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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleR6009JND3TL1
R6009JND3TL1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R6009JND3TL1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
R6009JND3TL1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-R6009JND3TL1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
R6009JND3TL1.pdf
État RoHS
En stock: 24329

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R6009JND3TL1
Rohm Semiconductor - R6009JND3TL1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - R6009JND3TL1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 7V @ 1.38mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base R6009  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor R6009JND3TL1

Attributs du produit R6009JND3TL1 R6007JNJGTL R6009JNJGTL R6009KNX
Modèle de produit R6009JND3TL1 R6007JNJGTL R6009JNJGTL R6009KNX
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 15V 15V 15V 10V
Numéro de produit de base R6009 R6007 R6009 R6009
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 7V @ 1.38mA 7V @ 1mA 7V @ 1.38mA 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V 780mOhm @ 3.5A, 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V 535mOhm @ 2.8A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 645 pF @ 100 V 475 pF @ 100 V 645 pF @ 100 V 540 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 15 V 17.5 nC @ 15 V 22 nC @ 15 V 16.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-252 LPTS LPTS TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 7A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 96W (Tc) 125W (Tc) 48W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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R6009JND3TL1

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