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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleR5207ANDTL
R5207ANDTL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R5207ANDTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
R5207ANDTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-R5207ANDTL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
R5207ANDTL.pdf
État RoHS
En stock: 41484

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R5207ANDTL
Rohm Semiconductor - R5207ANDTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - R5207ANDTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur CPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  
Numéro de produit de base R5207  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor R5207ANDTL

Attributs du produit R5207ANDTL R5205CNDTL R5205CND D01TL R5220K131A-TR
Modèle de produit R5207ANDTL R5205CNDTL R5205CND D01TL R5220K131A-TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Nisshinbo Micro Devices Inc.
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 5A (Ta) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.5A, 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Package composant fournisseur CPT3 CPT3 - DFN(PL)2514-6
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -40°C ~ 85°C (TA)
Numéro de produit de base R5207 R5205 - R5220
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 6-UFDFN Exposed Pad
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 40W (Tc) - -
Tension drain-source (Vdss) 525 V 525 V - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 320 pF @ 25 V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 1mA - -
Séries - - - R5220x
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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