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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleR5011ANX
R5011ANX Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R5011ANX - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
R5011ANX
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-R5011ANX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
R5011ANX.pdf
État RoHS
En stock: 5280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R5011ANX
Rohm Semiconductor - R5011ANX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - R5011ANX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FM  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta)  
Numéro de produit de base R5011  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor R5011ANX

Attributs du produit R5011ANX R5011FNX R5016ANX R5010810XXWA
Modèle de produit R5011ANX R5011FNX R5016ANX R5010810XXWA
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Powerex Inc.
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack DO-205AA, DO-8, Stud
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) Standard, Reverse Polarity
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta), 5.4A (Tc) 16A (Ta) -
Package composant fournisseur TO-220FM TO-220FM TO-220FM DO-205AA (DO-8)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4V @ 1mA 4.5V @ 1mA -
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V -
Numéro de produit de base R5011 R5011 R5016 R5010810
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 5.5A, 10V 520mOhm @ 5.5A, 10V 270mOhm @ 8A, 10V -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Stud Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -

Fiche technique R5011ANX PDF

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PCN Obsolescence / EOL
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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