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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQS6M4TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS6M4TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS6M4TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS6M4TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
QS6M4TR.pdf
État RoHS
En stock: 181040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS6M4TR
Rohm Semiconductor - QS6M4TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS6M4TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base QS6M4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS6M4TR

Attributs du produit QS6M4TR QS6K1TR QS6K21TR QS6K1FRATR
Modèle de produit QS6M4TR QS6K1TR QS6K21TR QS6K1FRATR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A 1A 1A 1A (Ta)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base QS6M4 QS6K1 QS6K21 QS6K1
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V 30V 45V 30V
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V 77pF @ 10V - 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V 238mOhm @ 1A, 4.5V - 238mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max 1.25W 1.25W 1.25W 900mW (Tc)
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 2.5V Drive
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V - 2.4nC @ 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C

Fiche technique QS6M4TR PDF

Téléchargez QS6M4TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS6M4TR - Rohm Semiconductor.

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Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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