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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQS6J11TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS6J11TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS6J11TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS6J11TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
QS6J11TR.pdf
État RoHS
En stock: 127480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS6J11TR
Rohm Semiconductor - QS6J11TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS6J11TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Puissance - Max 600mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 6V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base QS6J11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS6J11TR

Attributs du produit QS6J11TR QS6J1TR QS6K1TR QS6J3TR
Modèle de produit QS6J11TR QS6J1TR QS6K1TR QS6J3TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95)
Puissance - Max 600mW 1.25W 1.25W 1.25W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A 1.5A 1A 1.5A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 215mOhm @ 1.5A, 4.5V 238mOhm @ 1A, 4.5V 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numéro de produit de base QS6J11 QS6J1 QS6K1 QS6J3
Tension drain-source (Vdss) 12V 20V 30V 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 6V 270pF @ 10V 77pF @ 10V 270pF @ 10V
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fiche technique QS6J11TR PDF

Téléchargez QS6J11TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS6J11TR - Rohm Semiconductor.

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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