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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxIMN10FHT108
IMN10FHT108 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IMN10FHT108 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
IMN10FHT108
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-IMN10FHT108
Modèle ECAD
Description des pièces
SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
IMN10FHT108.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 172500

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IMN10FHT108
Rohm Semiconductor - IMN10FHT108 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - IMN10FHT108

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 100 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur SMT6  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Configuration diode 3 Independent  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 70 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA  
Numéro de produit de base IMN10  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor IMN10FHT108

Attributs du produit IMN10FHT108 BAV70HDWQ-13 APT2X100D40J BAV170-7-F
Modèle de produit IMN10FHT108 BAV70HDWQ-13 APT2X100D40J BAV170-7-F
Fabricant Rohm Semiconductor Diodes Incorporated Microchip Technology Diodes Incorporated
Courant - fuite, inverse à Vr 100 nA @ 70 V 500 nA @ 80 V 500 µA @ 400 V 5 nA @ 75 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) -65°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount Chassis Mount Surface Mount
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Package composant fournisseur SMT6 SOT-363 ISOTOP® SOT-23-3
Numéro de produit de base IMN10 BAV70 APT2X100 BAV170
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 100 V 400 V 85 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns 4 ns 50 ns 3 µs
Configuration diode 3 Independent 2 Pair Common Cathode 2 Independent 1 Pair Common Cathode
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA 125mA 100A 125mA (DC)
Package / Boîte SC-74, SOT-457 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-227-4, miniBLOC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 100 mA 1 V @ 50 mA 1.5 V @ 100 A 1.1 V @ 50 mA

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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IMN10FHT108

Rohm Semiconductor
32D-IMN10FHT108

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