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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésIMD9AT108
IMD9AT108 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IMD9AT108 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
IMD9AT108
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-IMD9AT108
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Description détaillée
Emballage
SC-74, SOT-457
Fiche technique
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 260600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IMD9AT108
Rohm Semiconductor - IMD9AT108 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - IMD9AT108

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur SMT6  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 10kOhms  
Puissance - Max 300mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-74, SOT-457  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base IMD9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor IMD9AT108

Attributs du produit IMD9AT108 IMD16AT108 IMD6AT108 IMD2AT108
Modèle de produit IMD9AT108 IMD16AT108 IMD6AT108 IMD2AT108
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Séries - - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms 22kOhms - 22kOhms
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V 50V
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Package composant fournisseur SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Package / Boîte SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Numéro de produit de base IMD9 IMD16 IMD6 IMD2
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - 500nA (ICBO) 500nA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 56 @ 5mA, 5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA, 500mA 100mA 100mA
Puissance - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Résistance - Base (R1) 10kOhms 100kOhms, 2.2kOhms 4.7kOhms 22kOhms

Fiche technique IMD9AT108 PDF

Téléchargez IMD9AT108 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour IMD9AT108 - Rohm Semiconductor.

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Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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