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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxHP8K24TB
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HP8K24TB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HP8K24TB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-HP8K24TB
Modèle ECAD
Description des pièces
HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
HP8K24TB.pdf
État RoHS
En stock: 53170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HP8K24TB
Rohm Semiconductor - HP8K24TB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - HP8K24TB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-HSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V  
Puissance - Max 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V, 36nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numéro de produit de base HP8K24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor HP8K24TB

Attributs du produit HP8K24TB NTGD4167CT1G IRF7331TRPBF HP8K22TB
Modèle de produit HP8K24TB NTGD4167CT1G IRF7331TRPBF HP8K22TB
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Philips Rohm Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 2.6A, 1.9A 7A 27A, 57A
Package / Boîte 8-PowerTDFN SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V 4.6mOhm @ 20A, 10V
Puissance - Max 3W (Ta) 900mW 2W 25W
Numéro de produit de base HP8K24 NTGD4167 IRF733 HP8K22
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V 295pF @ 15V 1340pF @ 16V 1080pF @ 15V
Séries - - HEXFET® -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 20V 30V
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-HSOP 6-TSOP 8-SO 8-HSOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V, 36nC @ 10V 5.5nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 16.8nC @ 10V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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