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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxEMZ1T2R
EMZ1T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMZ1T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMZ1T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMZ1T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMZ1T2R.pdf
État RoHS
En stock: 334420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMZ1T2R
Rohm Semiconductor - EMZ1T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMZ1T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor Type NPN, PNP  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 180MHz, 140MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150mA  
Numéro de produit de base EMZ1T2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMZ1T2R

Attributs du produit EMZ1T2R EMZ1DXV6T1 EMZ2T2R EMZ7T2R
Modèle de produit EMZ1T2R EMZ1DXV6T1 EMZ2T2R EMZ7T2R
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base EMZ1T2 EMZ1 EMZ2T2 EMZ7T2
Puissance - Max 150mW 500mW 150mW 150mW
Séries - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fréquence - Transition 180MHz, 140MHz 180MHz, 140MHz 180MHz, 140MHz 320MHz, 260MHz
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150mA 100mA 150mA 500mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 60V 50V 12V
Transistor Type NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 10mA, 200mA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 270 @ 10mA, 2V
Package composant fournisseur EMT6 SOT-563 EMT6 EMT6

Fiche technique EMZ1T2R PDF

Téléchargez EMZ1T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMZ1T2R - Rohm Semiconductor.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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