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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMH1T2R
EMH1T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMH1T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMH1T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMH1T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMH1T2R.pdf
État RoHS
En stock: 395320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMH1T2R
Rohm Semiconductor - EMH1T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMH1T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms  
Résistance - Base (R1) 22kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMH1T2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMH1T2R

Attributs du produit EMH1T2R EMH11T2R EMH15T2R EMH11FHAT2R
Modèle de produit EMH1T2R EMH11T2R EMH15T2R EMH11FHAT2R
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Résistance - Base (R1) 22kOhms 10kOhms 47kOhms 10kOhms
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V -
Puissance - Max 150mW 150mW 150mW 150mW
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms 10kOhms - 10kOhms
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Numéro de produit de base EMH1T2 EMH11 EMH15 EMH11

Fiche technique EMH1T2R PDF

Téléchargez EMH1T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMH1T2R - Rohm Semiconductor.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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