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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMD9T2R
EMD9T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMD9T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMD9T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMD9T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMD9T2R.pdf
État RoHS
En stock: 299350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMD9T2R
Rohm Semiconductor - EMD9T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMD9T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 10kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMD9T2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMD9T2R

Attributs du produit EMD9T2R EMD6T2R EMD9 FS2T2R EMDC-13-2TR
Modèle de produit EMD9T2R EMD6T2R EMD9 FS2T2R EMDC-13-2TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology MACOM Technology Solutions
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz - -
Numéro de produit de base EMD9T2 EMD6T2 - EMDC-13
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V - -
Résistance - Base (R1) 10kOhms 4.7kOhms - -
Puissance - Max 150mW 150mW - 250mW
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - SM-22
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 - SM-22
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -

Fiche technique EMD9T2R PDF

Téléchargez EMD9T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMD9T2R - Rohm Semiconductor.

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Informations environnementales
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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