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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMD2FHAT2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMD2FHAT2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMD2FHAT2R
Modèle ECAD
Description des pièces
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMD2FHAT2R.pdf
État RoHS
En stock: 313390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMD2FHAT2R
Rohm Semiconductor - EMD2FHAT2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMD2FHAT2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) -  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms  
Résistance - Base (R1) 22kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMD2FHAT2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMD2FHAT2R

Attributs du produit EMD2FHAT2R EMD2T2R EMD29T2R EMD30T2R
Modèle de produit EMD2FHAT2R EMD2T2R EMD29T2R EMD30T2R
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) - 50V 50V, 12V 50V, 30V
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms 22kOhms 10kOhms 10kOhms
Numéro de produit de base EMD2FHAT2 EMD2T2 EMD29 EMD30
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Résistance - Base (R1) 22kOhms 22kOhms 1kOhms, 10kOhms 10kOhms, 1kOhms
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - 500nA 500nA 500nA
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz 250MHz, 260MHz 260MHz
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA, 500mA 200mA
Puissance - Max 150mW 150mW 120mW 150mW
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666

Fiche technique EMD2FHAT2R PDF

Téléchargez EMD2FHAT2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMD2FHAT2R - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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