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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMD12FHAT2R
EMD12FHAT2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMD12FHAT2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMD12FHAT2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMD12FHAT2R
Modèle ECAD
Description des pièces
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMD12FHAT2R.pdf
État RoHS
En stock: 604150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMD12FHAT2R
Rohm Semiconductor - EMD12FHAT2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMD12FHAT2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) -  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 47kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMD12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMD12FHAT2R

Attributs du produit EMD12FHAT2R EMD12T2R EMD2053-00VC06NRR EMD06N60CS
Modèle de produit EMD12FHAT2R EMD12T2R EMD2053-00VC06NRR EMD06N60CS
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor ESMT EMC
Résistance - Base (R1) 47kOhms 47kOhms - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - 500nA - -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms 47kOhms - -
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V - -
Puissance - Max 150mW 150mW - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Numéro de produit de base EMD12 EMD12 - -
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) - 50V - -
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 - -

Fiche technique EMD12FHAT2R PDF

Téléchargez EMD12FHAT2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMD12FHAT2R - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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