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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMB61T2R
EMB61T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EMB61T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMB61T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMB61T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMB61T2R.pdf
État RoHS
En stock: 458000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EMB61T2R
Rohm Semiconductor - EMB61T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMB61T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10kOhms  
Résistance - Base (R1) 10kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA  
Numéro de produit de base EMB61  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMB61T2R

Attributs du produit EMB61T2R EMB80P03J EMB70N10H EMB70N08A MOS
Modèle de produit EMB61T2R EMB80P03J EMB70N10H EMB70N08A MOS
Fabricant Rohm Semiconductor EMC EMC EMC
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Puissance - Max 150mW - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA - - -
Résistance - Base (R1) 10kOhms - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10kOhms - - -
Package composant fournisseur EMT6 - - -
Numéro de produit de base EMB61 - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - - -
Séries - - - -
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA - - -
Fréquence - Transition 250MHz - - -

Fiche technique EMB61T2R PDF

Téléchargez EMB61T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMB61T2R - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf EMT6-HF Constitution Material List.pdf EMB61 ESD Data.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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