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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDTD513ZMT2L
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DTD513ZMT2L - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DTD513ZMT2L
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DTD513ZMT2L
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Description détaillée
Emballage
SOT-723
Fiche technique
DTD513ZMT2L.pdf
État RoHS
En stock: 448900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DTD513ZMT2L
Rohm Semiconductor - DTD513ZMT2L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - DTD513ZMT2L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur VMT3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Résistance - Base (R1) 1 kOhms  
Puissance - Max 150 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-723  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 260 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA  
Numéro de produit de base DTD513  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor DTD513ZMT2L

Attributs du produit DTD513ZMT2L DTD143TKT146 DTD513ZMGT2L DTD543EMT2L
Modèle de produit DTD513ZMT2L DTD143TKT146 DTD513ZMGT2L DTD543EMT2L
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) 500nA 500nA
Package composant fournisseur VMT3 SMT3 VMT3 VMT3
Puissance - Max 150 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Résistance - Base (R1) 1 kOhms 4.7 kOhms 1 kOhms 4.7 kOhms
Numéro de produit de base DTD513 DTD143 DTD513 DTD543
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms - 10 kOhms 4.7 kOhms
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Package / Boîte SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-723 SOT-723
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12 V 40 V 12 V 12 V
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V 100 @ 50mA, 5V 140 @ 100mA, 2V 115 @ 100mA, 2V
Fréquence - Transition 260 MHz 200 MHz 260 MHz 260 MHz

Fiche technique DTD513ZMT2L PDF

Téléchargez DTD513ZMT2L PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour DTD513ZMT2L - Rohm Semiconductor.

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