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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDTD114GKT146
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DTD114GKT146 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DTD114GKT146
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DTD114GKT146
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 256010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DTD114GKT146
Rohm Semiconductor - DTD114GKT146 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - DTD114GKT146

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SMT3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 200 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA  
Numéro de produit de base DTD114  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor DTD114GKT146

Attributs du produit DTD114GKT146 DTD123EKT146 DTD114EKT146 DTD123ECT116
Modèle de produit DTD114GKT146 DTD123EKT146 DTD114EKT146 DTD123ECT116
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Numéro de produit de base DTD114 DTD123 DTD114 DTD123
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Fréquence - Transition 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Puissance - Max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms 2.2 kOhms
Package composant fournisseur SMT3 SMT3 SMT3 SST3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA 500nA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique DTD114GKT146 PDF

Téléchargez DTD114GKT146 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour DTD114GKT146 - Rohm Semiconductor.

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Mode de transport

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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