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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDTC114WSATP
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DTC114WSATP - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DTC114WSATP
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DTC114WSATP
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Description détaillée
Emballage
SC-72 Formed Leads
Fiche technique
DTC114Wx(A).pdf
État RoHS
En stock: 3650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DTC114WSATP
Rohm Semiconductor - DTC114WSATP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - DTC114WSATP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SPT  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms  
Résistance - Base (R1) 10 kOhms  
Puissance - Max 300 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-72 Formed Leads  
Emballer Tape & Box (TB)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base DTC114  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor DTC114WSATP

Attributs du produit DTC114WSATP DTC114WUAT106 DTC114YE DTC114WETL
Modèle de produit DTC114WSATP DTC114WUAT106 DTC114YE DTC114WETL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Numéro de produit de base DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - 4.7 kOhms
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Package composant fournisseur SPT UMT3 SOT-523 EMT3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Puissance - Max 300 mW 200 mW 150 mW 150 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Package / Boîte SC-72 Formed Leads SC-70, SOT-323 SOT-523 SC-75, SOT-416
Résistance - Base (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Fréquence - Transition 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V 24 @ 10mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 24 @ 10mA, 5V

Fiche technique DTC114WSATP PDF

Téléchargez DTC114WSATP PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour DTC114WSATP - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
DTC114Wx(A).pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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