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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDTC114GUAT106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DTC114GUAT106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
DTC114GUAT106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DTC114GUAT106
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 367770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DTC114GUAT106
Rohm Semiconductor - DTC114GUAT106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - DTC114GUAT106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base DTC114  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor DTC114GUAT106

Attributs du produit DTC114GUAT106 DTC114TE DTC114TET1 DTC114TET1G
Modèle de produit DTC114GUAT106 DTC114TE DTC114TET1 DTC114TET1G
Fabricant Rohm Semiconductor Yangjie Technology onsemi onsemi
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Séries - - - -
Package composant fournisseur UMT3 SOT-523 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Puissance - Max 200 mW 150 mW 200 mW 200 mW
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA 500nA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Numéro de produit de base DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Package / Boîte SC-70, SOT-323 SOT-523 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Fréquence - Transition 250 MHz 250 MHz - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 160 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V

Fiche technique DTC114GUAT106 PDF

Téléchargez DTC114GUAT106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour DTC114GUAT106 - Rohm Semiconductor.

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